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序號
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封裝
產(chǎn)品描述

1

SSM3J145TU

TOSHIBA(東芝)

SMD-3P

SSM3J145TU1. 應用? 電源管理開關2.特性 (1) 符合 AEC-Q101 標準(請參閱可訂購零件編號列表)(2)1.5 V 柵極驅(qū)動電壓。(3)低漏源導通電阻…

2

SSM3J144TU

TOSHIBA(東芝)

SMD-3P

TOSHIBA(東芝)-SSM3J144TU1. 應用 ? 電源管理開關2.特性 (1 )符合 AEC-Q101 標準(請參閱可訂購零件編號列表)(2)1.5 V 柵極驅(qū)動電壓。(3)…

3

SSM3J140TU

TOSHIBA(東芝)

SMD-3P

SSM3J140TU1. 應用 ? 電源管理開關2.特性 (1)符合 AEC-Q101 標準(2)1.5 V 柵極驅(qū)動電壓。(3)低漏源導通電阻 RDS(ON) = 63.2 mΩ(最大值…

4

SSM3J135TU

TOSHIBA(東芝)

SMD-3P

SSM3J135TU電源管理開關應用 ? 1.5 V 驅(qū)動? 低導通電阻:RDS(ON) = 260 mΩ (最大值) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 180 mΩ (最大值) …

5

TK16N60W

TOSHIBA(東芝)

TO-247

TK 16 N60 W Si N溝道MOSIV(DTMOSIV)采用了DTMOSIV一代的芯片設計,并有不同的變體。

6

SSM3J134TU

TOSHIBA(東芝)

SMD-3P

SSM3J134TU電源管理開關應用 ? 1.5 V 驅(qū)動 ? 低導通電阻:RDS(ON) = 240 mΩ (最大值) (@VGS = -1.5 V)RDS(ON) = 168 mΩ (最大值) …

7

SSM3J132TU

TOSHIBA(東芝)

SMD-3P

SSM3J132TU電源管理開關應用? 1.2 V 驅(qū)動 ? 低導通電阻:RDS(ON) = 94 mΩ(最大值)(@VGS = -1.2 V)RDS(ON) = 39 mΩ(最大值)(@VGS …

8

SSM3J130TU

TOSHIBA(東芝)

SMD-3

SSM3J130TU電源管理開關應用? 1.5 V 驅(qū)動 ? 低導通電阻:RDS(ON) = 63.2 mΩ(最大值) (@VGS = -1.5 V)RDS(ON) = 41.1 mΩ(最大值) (…

9

SSM3J118TU(TE85L)

TOSHIBA(東芝)

SMD-3P

SSM3J118TU高速開關應用? 4 V 驅(qū)動 ? 低導通電阻:Ron = 480 mΩ(最大值)(@VGS = ?4 V)Ron = 240 mΩ(最大值)(@VGS = ?10 V)

10

SSM3J117TU

TOSHIBA(東芝)

SMD-3P

SSM3J117TUDC-DC 轉(zhuǎn)換器應用 高速開關應用 ? 4 V 驅(qū)動? 低導通電阻:RDS(ON) = 225 mΩ(最大值)(@VGS = ?4 V)RDS(ON) = 117 mΩ(最大…

11

SSM3J112TU,LF

TOSHIBA(東芝)

SMD-3P

SSM3J112TU,LF應用范圍 :DC-DC 轉(zhuǎn)換器 / 高速開關極性:P 通道內(nèi)部連接 :單引 腳:3安裝:表面貼裝寬長高(mm):2.02.10.7

12

SSM3H137TU

TOSHIBA(東芝)

SMD-3P

SSM3H137TU1. 應用 ? 繼電器驅(qū)動器 2.功能 (1)符合 AEC-Q101 (Rev. D) 標準。(2) 4.0V 柵極驅(qū)動電壓。(3)低漏源導通電阻 :RDS(ON) = 295…

13

SSM14N956L

TOSHIBA(東芝)

TCSPED-302701

SSM14N956L一款12V共漏極N溝道MOSFET,額定電流為20A,主要應用于移動設備鋰離子電池組的電池保護電路。為了提高鋰離子電池組的安全性,高度穩(wěn)定…

14

TK18A50D(STA4,Q,M)

TOSHIBA(東芝)

TO-220F-3

TK18A50D(STA4,Q,M)是東芝π-MOS VII MOSFET是10V柵極驅(qū)動,單N溝道器件,將π-MOS技術(shù)與平面工藝相結(jié)合,以提供多種電壓和RDS(ON)額定值。這些…

15

SSM10N954L,EFF(S

TOSHIBA(東芝)

TCSPAC-153001

SSM10N954L,EFF(S1. 應用 ? 電池保護電路 2.特性 (1 低源源導通電阻 : RSS(ON) = 2.2 mΩ (typ.) (@VGS = 3.8 V) : RSS(ON) = 2.1 m…

16

2SK2009(TE85L,F)

TOSHIBA(東芝)

TO-236-3

2SK2009(TE85L,F)? 高輸入阻抗。? 低柵極閾值電壓:Vth = 0.5 至 1.5 V? 出色的開關時間:ton = 0.06 μs(典型值)toff = 0.12 μs(典型值)…

17

2SK1062(TE85L,F)

TOSHIBA(東芝)

SC-59

2SK1062(TE85L,F)? 出色的開關時間:ton = 14 ns(典型值)? 高正向轉(zhuǎn)移容納:|YFS |= 100 ms(最小值)@ID = 50 mA ? 低導通電阻:RDS (ON)…

18

2SJ305TE85LF

TOSHIBA(東芝)

SC-59

2SJ305TE85LF? 高輸入阻抗 ? 低柵極閾值電壓:Vth = ?0.5 至 ?1.5 V ? 出色的開關時間:ton = 0.06 μs(典型值)toff = 0.15 μs(典型值)…

19

2SJ168TE85LF

TOSHIBA(東芝)

SC-59

2SJ168TE85LF? 出色的開關時間:ton = 14 ns(典型值)? 高正向轉(zhuǎn)移容納:|YFS |= 100 mS(最小值)@ID = ?50 mA? 低導通電阻:RDS (ON) =…

20

SSM3J331R,LF

TOSHIBA(東芝)

SOT-23-3

SSM3J331R MOSFET硅P溝道MOS(U-MOS)■1.5V柵極驅(qū)動電壓

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