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LM2901DR2G

LM2901DR2G

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LM2901DR2G主要特點


  • 寬電源范圍
    • 單電源:2 V 至 36 V(非 V 器件經(jīng)測試為 30 V,V 后綴器件經(jīng)測試為 32 V)
    • 雙電源:±1 V 至 ±18 V(非 V 設備測試為 ±15 V,V 后綴設備測試為 ±16 V)
  • 低電源電流漏極,不受電源電壓影響:0.8 mA(典型值)
  • 低輸入偏置電流:25nA(典型值)
  • 低輸入失調(diào)電流:3nA(典型值) (LM139)
  • 低輸入失調(diào)電壓:2mV(典型值)
  • 共模輸入電壓范圍包括地電位
  • 差分輸入電壓范圍等于最大額定電源電壓:±36V
  • 低輸出飽和電壓
  • 輸出兼容TTL、MOS和CMOS
  • 在符合 MIL-PRF-38535 的產(chǎn)品上



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