TOSHIBA(東芝)-SSM3J356R

1.SSM3J356R應(yīng)用 

? 電源管理開關(guān) 

2.SSM3J356R特性 

（1）4 V 柵極驅(qū)動電壓。 
（2）低漏源導(dǎo)通電阻 ： 
RDS（ON） = 400 mΩ（最大值） （@VGS = -4.0 V） RDS（ON） = 300 mΩ（最大值） （@VGS = -10 V） 
（3)符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)

3.SSM3J356R絕對最大額定值 （注） （除非另有說明，否則 Ta = 25 ）

注：在重負(fù)載下連續(xù)使用（例如施加高溫/電流/電壓和溫度的顯著變化等）可能會導(dǎo)致本產(chǎn)品的可靠性顯著下降，即使使用條件（即工作溫度/電流/電壓等）在絕對最大額定值范圍內(nèi)。請?jiān)诓榭礀|芝半導(dǎo)體可靠性手冊（“處理注意事項(xiàng)”/“降額概念和方法”）和各個可靠性數(shù)據(jù)（即可靠性測試報(bào)告和估計(jì)故障率等）后設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)目煽啃浴?

注 1：確保通道溫度不超過 150 。

注 2：重復(fù)評級;脈沖寬度受最高通道溫度限制。

注 3：安裝在 25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm FR4 玻璃環(huán)氧樹脂板上的器件（銅焊盤：645 mm2）注：該晶體管對靜電放電敏感，應(yīng)小心處理。注意：該器件中的 MOSFET 對靜電放電敏感。處理此設(shè)備時，應(yīng)保護(hù)工作臺、操作員、烙鐵和其他物體免受防靜電放電。

注：通道到環(huán)境的熱阻 Rth（ch-a） 和漏極功率耗散 PD 根據(jù)電路板材料、電路板面積、電路板厚度和焊盤面積而變化。使用此設(shè)備時，請務(wù)必充分考慮散熱。

4.SSM3J356R靜態(tài)特性（除非另有說明，否則 Ta= 25 ）

注 1：如果在門和源之間施加反向偏置，該器件將進(jìn)入 V（BR）DSX 模式。請注意，在此模式下，漏極擊穿電壓會降低。注 2：脈沖測量

5.SSM3J356R動態(tài)特性（除非另有說明，Ta= 25 ）

6.SSM3J356R柵極電荷特性（除非另有說明，Ta= 25 ）

7.SSM3J356R源極-漏極特性（除非另有說明，Ta = 25 ）