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TOSHIBA

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產品描述

1

TK190A65Z,S4X是Toshiba 650V DTMOS-VI超級結MOSFET

TOSHIBA(東芝)

TO-220SIS

Toshiba 650V DTMOS-VI超級結MOSFET設計用于在開關電源下工作。該系列N溝道MOSFET具有高速開關特性和較低電容。 650V DTMOS-VI超級結MOSFET硅MOS…

2

TK17E80W,S1X東芝DT MOS IV系列MOSFET

TOSHIBA(東芝)

TO-220

東芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先進的單外延工藝,與上一代 DTMOSIII 相比,RDS(on) 降低了 30%,這是 MOSFET 的性能指標。RDS(on) 的降低使得將…

3

TK16V60W5 MOSFET硅N溝道MOS(DTMOS)

TOSHIBA(東芝)

DFN-4-EP(8x8)

Toshiba TK16x60W Si N溝道MOSFET (DTMOSIV) 采用DTMOSIV代芯片設計,有各種型號可供選擇。Si N溝道MOSFET具有低漏源導通電阻和快速反向恢復能力…

4

TK17V65W,LQ是東芝DT MOS IV系列MOSFET

TOSHIBA(東芝)

DFN-4-EP(8x8)

東芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先進的單外延工藝,與上一代 DTMOSIII 相比,RDS(on) 降低了 30%,這是 MOSFET 的性能指標。RDS(on) 的降低使得將…

5

SSM3J358R

TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J358R1. 應用 ? 電源管理開關2.特性 (1) 1.8 V 驅動 (2)低漏源導通電阻 :RDS(ON) = 49.3 mΩ(最大值) (@VGS = -1.8…

6

SSM3J356R

TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J356R1. 應用 ? 電源管理開關 2.特性 (1)4 V 柵極驅動電壓。 (2)低漏源導通電阻 : RDS(ON) = 400 mΩ(最大值) (@V…

7

SSM3J355R

TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J355R1. 應用? 電源管理開關2.特性 (1)1.8 V 驅動 (2) 低漏源導通電阻 : RDS(ON) = 36.0 mΩ(典型值) (VGS = -1.8 …

8

SSM3J353F

TOSHIBA(東芝)

TO-236-3(SOT-23-3)

TOSHIBA(東芝)-SSM3J353F1. 應用? 電源管理開關2.特性 (1) 4.0 V 柵極驅動電壓。(2)低漏源導通電阻 :RDS(ON) = 274 mΩ(最大值) (@VG…

9

SSM3J352F

TOSHIBA(東芝)

TO-236-3(SOT-23-3)

TOSHIBA(東芝)-SSM3J352F1. 應用 ? 電源管理開關2.特性 (1)1.8 V 柵極驅動電壓(2)低漏源導通電阻 :RDS(ON) = 443 mΩ (最大值) (@VGS …

10

SSM3J351R

TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J351R1. 應用? 電源管理開關 2.特性 (1) 4 V 驅動 (2) 低漏源導通電阻 :RDS(ON) = 107 mΩ(典型值) (VGS = -10 V)…

11

SSM3J340R

TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J340R1. 應用? 電源管理開關 2.特性(1)4.0 V 驅動 (2) 低漏源導通電阻 :RDS(ON) = 86 mΩ(最大值) (@VGS = -4.0 …

12

SSM3J338R

TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J338R1.應用? 電源管理開關2.特點(1) 1.8 V柵極驅動電壓。(2) 低漏源導通電阻: RDS (on) = 26.3 m ? (typ.)(@ VGS = -1.8 V…

13

XPN3R804NC,L1XHQ是Toshiba 車規級U-MOSVII-H型功率MOSFET

TOSHIBA(東芝)

TSON-8(3.1x3.1)

XPN3R804NC,L1XHQ是Toshiba 車規級U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N溝道功率MOSFET,是汽車應用的理想選擇。它們具有采用專有技術的低導通電阻…

14

SSM3J334R

TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J334R1.應用?電源管理開關應用 2.特性? 低導通電阻:RDS(ON) = 71 mΩ(最大值)(@VGS = -10 V) RDS(ON) = 105 mΩ(…

15

XPN6R706NC,L1XHQ是Toshiba 車規級U-MOSVII-H型功率MOSFET

TOSHIBA(東芝)

TSON-8(3.1x3.1)

Toshiba 車規級U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N溝道功率MOSFET,是汽車應用的理想選擇。它們具有采用專有技術的低導通電阻,使用銅連接器。 …

16

SSM3J332R

TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J332R1.應用?電源管理開關應用2.特性? 1.8 V 驅動 ? 低導通電阻:RDS(ON) = 144 mΩ(最大值)(@VGS = -1.8 V)RDS(ON…

17

XPN9R614MC,L1XHQToshiba 車規級U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N溝道功率MOSFET,是汽車應用的理想選擇

TOSHIBA(東芝)

TSON-8(3.1x3.1)

Toshiba 車規級U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N溝道功率MOSFET,是汽車應用的理想選擇。它們具有采用專有技術的低導通電阻,使用銅連接器。 …

18

XPW4R10ANB,L1XHQ Toshiba 車規級U-MOSVII-H型功率MOSFET

TOSHIBA(東芝)

DSOPADVANCE-8

Toshiba 車規級U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N溝道功率MOSFET,是汽車應用的理想選擇。它們具有采用專有技術的低導通電阻,使用銅連接器。 …

19

XPW6R30ANBU-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N溝道功率MOSFET,是汽車應用的理想選擇。

TOSHIBA(東芝)

DSOPADVANCE-8

Toshiba 車規級U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N溝道功率MOSFET,是汽車應用的理想選擇。它們具有采用專有技術的低導通電阻,使用銅連接器。 …

20

SSM3J331R

TOSHIBA(東芝)

SOT-23

TOSHIBA(東芝)-SSM3J331R1. 應用 ? 電源管理開關 2.特性 (1)1.5V 柵極驅動電壓。 (2)低漏源導通電阻 :RDS(ON) = 150 mΩ (最大值) (@V…

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